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建設(shè)P3晶圓廠后 三星電子還將在平澤建設(shè)P4晶圓廠

來源：TechWeb

此前有報(bào)道稱，三星電子 2020 年年中開始在韓國平澤建設(shè)的 P3 晶圓廠，將在下月開始設(shè)備的安裝，設(shè)備的進(jìn)入和安裝將繼續(xù)到 7 月份，這一晶圓廠計(jì)劃在今年下半年全部建成。

而在報(bào)道 P3 晶圓廠將在下月開始設(shè)備的安裝時(shí)，外媒還表示，在建設(shè) P3 晶圓廠后，預(yù)計(jì)三星電子還將在平澤建設(shè) P4 晶圓廠。

不過，外媒并未給出 P4 晶圓廠何時(shí)開始建設(shè)、工廠規(guī)模、投資規(guī)模等方面的預(yù)期，三星方面目前也還未公布他們是否會(huì)在平澤再建設(shè)晶圓廠。

從外媒的報(bào)道來看，下月開始設(shè)備安裝的 P3 晶圓廠，建成后將用于生產(chǎn) NAND 閃存、DRAM，也將利用 3nm 工藝為相關(guān)的客戶代工晶圓。率先開始生產(chǎn) NAND 閃存，隨后是 DRAM，之后是為其他客戶代工晶圓。設(shè)備的安裝，將從 NAND 閃存生產(chǎn)線的設(shè)備先開始，將在 5 月份的第一個(gè)周開始安裝。

外媒在報(bào)道中也提到，三星電子在平澤的 P3 晶圓廠，占地 70 萬平方米，是 P2 晶圓廠的 1.7 倍，他們計(jì)劃未來幾年在這一工廠至少投資 30 萬億韓元，最高則是投資 50 萬億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。

關(guān)鍵詞： 三星電子 NAND閃存產(chǎn)能 市場觀察 投資規(guī)模

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